FET Type
N-Channel
Verpackung
Tube
Technologie
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single FETs, MOSFETs |
| Hersteller | Harris Corporation |
| Serie | - |
| FET Type | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Obsolete |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220AB |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
Gehäuse
-
MSL
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