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OptiMOS™
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single FETs, MOSFETs |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Note | - |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET Type | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Obsolete |
| Montageart | Surface Mount |
| Qualifikation | - |
| Paket / Fall | 3-WDSON |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 20A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 36W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 53A (Tc) |
Gehäuse
-
MSL
-