Serie
CoolSiC™
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tube
Vgs (Max)
+23V, -5V
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Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single FETs, MOSFETs |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Note | - |
| Serie | CoolSiC™ |
| FET Type | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max) | +23V, -5V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Active |
| Montageart | Through Hole |
| Qualifikation | - |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 11mA |
| Basisproduktnummer | IMZA65 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 38.3A, 18V |
| Power Dissipation (Max) | 189W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO247-4-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 18 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2131 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
Gehäuse
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MSL
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