MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFNRoHS / Konformität

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IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN

Serie
FASTIRFET™
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerInfineon Technologies
Note-
SerieFASTIRFET™
VerpackungTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
TeilestatusObsolete
Leistung - Max156W
HerstellerInfineon Technologies
Configuration2 N-Channel (Dual)
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / Fall32-PowerWFQFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA
BasisproduktnummerIRFHE4250
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket32-PQFN (6x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1735pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86A, 303A
Gehäuse
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MSL
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