RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2Auf LagerRoHS / Konformität

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IGN1011L70

RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2

Gain
22dB
Frequenz
1.03GHz ~ 1.09GHz
Verpackung
Bulk
Technologie
GaN HEMT
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

Trockenmittelschutz

Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

Vakuumversiegelung

Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieRF FETs, MOSFETs
HerstellerIntegra Technologies Inc.
Gain22dB
Serie-
Frequenz1.03GHz ~ 1.09GHz
VerpackungBulk
TechnologieGaN HEMT
TeilestatusActive
HerstellerIntegra Technologies Inc.
Noise Figure-
MontageartChassis Mount
Current - Test22 mA
Paket / FallPL32A2
Power - Output80W
Voltage - Test50 V
Spannung - Nennspannung120 V
Aktuelle Bewertung (Ampere)-
Lieferanten-GerätepaketPL32A2
Gehäuse
-
MSL
-

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