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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Bipolar RF Transistors |
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Gain | 7dB |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 583W |
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Montageart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55AT |
| Transistor Type | NPN |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | 55AT |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55V |
Gehäuse
-
MSL
-