A2T21H450W19SR6

RF MOSFET LDMOS 30V NI1230

Gain
15.7dB
Frequenz
2.11GHz ~ 2.2GHz
Verpackung
Bulk
Technologie
LDMOS
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieRF FETs, MOSFETs
HerstellerNXP Semiconductors
Gain15.7dB
Serie-
Frequenz2.11GHz ~ 2.2GHz
VerpackungBulk
TechnologieLDMOS
TeilestatusObsolete
HerstellerNXP Semiconductors
Noise Figure-
MontageartChassis Mount
Current - Test800 mA
Paket / FallNI-1230S-4S4S
Power - Output89W
Voltage - Test30 V
Spannung - Nennspannung65 V
Aktuelle Bewertung (Ampere)10µA
Lieferanten-GerätepaketNI-1230S-4S4S
Gehäuse
-
MSL
-

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