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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single Bipolar Transistors |
| Hersteller | NXP Semiconductors |
| Note | Automotive |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Active |
| Leistung - Max | 300 mW |
| Montageart | Surface Mount |
| Qualifikation | AEC-Q101 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 55MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Aktueller - Sammlerabschaltung (Max) | 100nA |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Gehäuse
-
MSL
-