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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single Bipolar Transistors |
| Hersteller | NXP Semiconductors |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.1 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-PowerUDFN |
| Transistor Type | NPN |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Supplier Device Package | 3-HUSON (2x2) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 275mV @ 300mA, 6A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 260 @ 2A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Gehäuse
-
MSL
-