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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single Bipolar Transistors |
| Hersteller | NXP Semiconductors |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Active |
| Leistung - Max | 325 mW |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-XDFN Exposed Pad |
| Transistor Type | PNP |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 170MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | DFN1010D-3 |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Aktueller - Sammlerabschaltung (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Gehäuse
-
MSL
-