MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AAAuf LagerRoHS / Konformität

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FDD8880

MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA

Serie
PowerTrench®
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
Herstelleronsemi
Note-
SeriePowerTrench®
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusLast Time Buy
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
BasisproduktnummerFDD888
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max)55W (Tc)
Lieferanten-GerätepaketTO-252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1260 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 58A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
-

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