MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOICAuf LagerRoHS / Konformität

Bilder nur zur Referenz

FDS6612A

MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC

Serie
PowerTrench®
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

Warum wir

Qualitätsgarantie
Qualitätsgarantie
ESD-sicher
Antistatischer Schutz
Weltweiter Versand
Schnelle Lieferung
Schnelle Antwort
Schnelle Anfrage

Professionelle Verpackung

Originalverpackung

Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

Trockenmittelschutz

Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

Vakuumversiegelung

Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
Herstelleronsemi
Note-
SeriePowerTrench®
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusObsolete
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
BasisproduktnummerFDS6612
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.4A (Ta)
Gehäuse
-
MSL
-

Related Products