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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single Bipolar Transistors |
| Hersteller | onsemi |
| Note | - |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Teilestatus | Active |
| Leistung - Max | 200 W |
| Montageart | Through Hole |
| Qualifikation | - |
| Paket / Fall | TO-264-5 |
| Transistor Type | NPN |
| Basisproduktnummer | NJL3281 |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 30MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-264-5 |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 1A, 10A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Aktueller - Sammlerabschaltung (Max) | 50µA (ICBO) |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 5A, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 260 V |
Gehäuse
-
MSL
-