MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFNAuf LagerRoHS / Konformität

Bilder nur zur Referenz

NTTFS1D2N02P1E

MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN

FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+16V, -12V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

Warum wir

Qualitätsgarantie
Qualitätsgarantie
ESD-sicher
Antistatischer Schutz
Weltweiter Versand
Schnelle Lieferung
Schnelle Antwort
Schnelle Anfrage

Professionelle Verpackung

Originalverpackung

Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

Trockenmittelschutz

Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

Vakuumversiegelung

Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
Herstelleronsemi
Note-
Serie-
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+16V, -12V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / Fall8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 934µA
BasisproduktnummerNTTFS1
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max)820mW (Ta), 52W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket8-PQFN (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4040 pF @ 13 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta), 180A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
-

Related Products