MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFNAuf LagerRoHS / Konformität

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NTTFS1D8N02P1E

MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN

FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+16V, -12V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
Herstelleronsemi
Note-
Serie-
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+16V, -12V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / Fall8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 700µA
BasisproduktnummerNTTFS1
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)800mW (Ta), 48W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket8-PQFN (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3159 pF @ 13 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 152A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
-

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