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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single Bipolar Transistors |
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 3-SSIP |
| Transistor Type | PNP |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Supplier Device Package | - |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 50mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 100mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Gehäuse
-
MSL
-