MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6Auf LagerRoHS / Konformität

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RQ6E080AJTCR

MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6

FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±12V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerRohm Semiconductor
Note-
Serie-
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±12V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 2mA
BasisproduktnummerRQ6E080
Betriebstemperatur150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max)950mW (Ta)
Lieferanten-GerätepaketTSMT6 (SC-95)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1810 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
Gehäuse
-
MSL
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