Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Verpackung
Tube
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
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Active
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Diode Arrays |
| Hersteller | SemiQ |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Teilestatus | Active |
| Hersteller | SemiQ |
| Montageart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Basisproduktnummer | GHXS100 |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-227 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) | 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 198A (DC) |
Gehäuse
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MSL
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