DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2472RoHS / Konformität

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GP2D050A120B

DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2472

Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie
Amp+™
Verpackung
Tube
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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ParameterWert
KategorieSingle Diodes
HerstellerSemiQ
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
SerieAmp+™
VerpackungTube
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky
TeilestatusDiscontinued at Digi-Key
MontageartThrough Hole
Paket / FallTO-247-2
Capacitance @ Vr, F3174pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-GerätepaketTO-247-2
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 1200 V
Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io)50A
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 50 A
Gehäuse
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MSL
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