MOSFET N-CH 650V 20A D2PAKAuf LagerRoHS / Konformität

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STB30N65M2AG

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK

Note
Automotive
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±25V
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerSTMicroelectronics
NoteAutomotive
Serie-
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±25V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusLast Time Buy
MontageartSurface Mount
QualifikationAEC-Q101
Paket / FallTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
BasisproduktnummerSTB30
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)190W (Tc)
Lieferanten-GerätepaketTO-263 (D2PAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1440 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Gehäuse
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MSL
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