MOSFET N-CH 650V 8A DPAKAuf LagerRoHS / Konformität

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STD12N65M2

MOSFET N-CH 650V 8A DPAK

Serie
MDmesh™ M2
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±25V
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerSTMicroelectronics
Note-
SerieMDmesh™ M2
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±25V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
BasisproduktnummerSTD12
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max)85W (Tc)
Lieferanten-GerätepaketDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds535 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
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