MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATTAuf LagerRoHS / Konformität

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STFW69N65M5

MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT

Serie
MDmesh™ V
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tube
Vgs (Max)
±25V
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerSTMicroelectronics
Note-
SerieMDmesh™ V
FET TypeN-Channel
VerpackungTube
Vgs (Max)±25V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
MontageartThrough Hole
Qualifikation-
Paket / FallTO-3P-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
BasisproduktnummerSTFW69
Betriebstemperatur150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max)79W (Tc)
Lieferanten-GerätepaketTO-3PF
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6420 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
-

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