N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5RoHS / Konformität

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STO68N65DM6

N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5

FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±25V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerSTMicroelectronics
Note-
Serie-
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±25V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / Fall8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max)240W (Tc)
Lieferanten-GerätepaketTOLL (HV)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3528 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
-

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