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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single Bipolar Transistors |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 900 mW |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Transistor Type | NPN |
| Basisproduktnummer | 2SC2235 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 120MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-92MOD |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Aktueller - Sammlerabschaltung (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Gehäuse
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MSL
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