FET Type
N-Channel
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
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Sichere Verpackung
Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single FETs, MOSFETs |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Note | - |
| Serie | - |
| FET Type | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Obsolete |
| Montageart | Through Hole |
| Qualifikation | - |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Basisproduktnummer | TK16A45 |
| Betriebstemperatur | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 8A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220SIS |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A |
Gehäuse
-
MSL
-