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Serie
π-MOSVII
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tube
Vgs (Max)
±30V
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Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single FETs, MOSFETs |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Note | - |
| Serie | π-MOSVII |
| FET Type | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Obsolete |
| Montageart | Through Hole |
| Qualifikation | - |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
| Basisproduktnummer | TK4A60 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220SIS |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
Gehäuse
-
MSL
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