Serie
U-MOSVIII-H
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
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Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single FETs, MOSFETs |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Note | - |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET Type | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Active |
| Montageart | Surface Mount |
| Qualifikation | - |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
| Basisproduktnummer | TK55S10 |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 27.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 157W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | DPAK+ |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3280 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
Gehäuse
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MSL
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