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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single Diodes |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Technologie | Standard |
| Teilestatus | Obsolete |
| Montageart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 |
| Basisproduktnummer | 10ETF10 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220AC |
| Reverse Recovery Time (trr) | 310 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1000 V |
| Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max) | 1000 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.33 V @ 10 A |
Gehäuse
-
MSL
-