P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETAuf Lager

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SI2323DDS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

FET Type
P-Channel
Packaging
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±8V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Datenblatt (PDF)

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Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerVishay Siliconix
Grade-
Series-
FET TypeP-Channel
PackagingTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±8V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Part StatusActive
Mounting TypeSurface Mount
Qualification-
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max)960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1160 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
-

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