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TrenchFET®
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | Single FETs, MOSFETs |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Grade | - |
| Series | TrenchFET® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | - |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Base Product Number | SI4178 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8.4A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
Gehäuse
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MSL
-