Serie
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
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Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | FET, MOSFET Arrays |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Teilestatus | Active |
| Leistung - Max | 3.1W |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Basisproduktnummer | SI9926 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.3A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
Gehäuse
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MSL
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