MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOICRoHS / Konformität

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SI9945AEY-T1

MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

Serie
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
RoHS-konform

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ParameterWert
KategorieFET, MOSFET Arrays
HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
VerpackungTape & Reel (TR)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
TeilestatusObsolete
Leistung - Max2.4W
HerstellerVishay Siliconix
Configuration2 N-Channel (Dual)
MontageartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
BasisproduktnummerSI9945
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 3.7A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A
Gehäuse
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MSL
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