MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAKAuf LagerRoHS / Konformität

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SISS94DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

Serie
TrenchFET®
FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

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Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

Vakuumversiegelung

Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerVishay Siliconix
Note-
SerieTrenchFET®
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallPowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
BasisproduktnummerSISS94
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max)5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Lieferanten-GerätepaketPowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Gehäuse
-
MSL
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