DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522Auf LagerRoHS / Konformität

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C4D02120E

DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522

Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie
Z-Rec®
Verpackung
Tube
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle Diodes
HerstellerWolfspeed, Inc.
Note-
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
SerieZ-Rec®
VerpackungTube
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky
TeilestatusActive
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
BasisproduktnummerC4D02120
Capacitance @ Vr, F167pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-GerätepaketTO-252-2
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 1200 V
Spannung - DC Rückwärts (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io)10A
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 2 A
Gehäuse
-
MSL
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