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Tray
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
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Active
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| Parameter | Wert |
|---|---|
| Kategorie | FET, MOSFET Arrays |
| Hersteller | Wolfspeed, Inc. |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Technologie | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Feature | - |
| Teilestatus | Active |
| Leistung - Max | - |
| Hersteller | Wolfspeed, Inc. |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Montageart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 140mA |
| Basisproduktnummer | CAB530 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.55mOhm @ 530A, 15V |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1362nC @ 4V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 39600pF @ 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 530A |
Gehäuse
-
MSL
-