N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFEAuf LagerRoHS / Konformität

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BSS123

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

FET Type
N-Channel
Verpackung
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Datenblatt (PDF)
RoHS-konform

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Werksversiegelt, ESD-antistatisches Tablett

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Feuchtigkeitsanzeiger & Silikagel inklusive

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Feuchtigkeitssperrbeutel, stickstoffgefüllt

Sichere Verpackung

Antivibrationsschaum, stoßfeste Kennzeichnung

ParameterWert
KategorieSingle FETs, MOSFETs
HerstellerANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Note-
Serie-
FET TypeN-Channel
VerpackungTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
TeilestatusActive
MontageartSurface Mount
Qualifikation-
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max)350mW (Ta)
Lieferanten-GerätepaketSOT-23
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Gehäuse
-
MSL
-

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