Modules pilotes de puissance

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GeneSiC Semiconductor

	Image	Référence	Fabricant	Description	Disponibilité	Actions
	PDF	GA100SICP12-227	GeneSiC Semiconductor	IPM 1.2KV 100A SOT-227-4	En stock	+− Ajouter au devis MOQ : 1 Survoler pour devis
	PDF	GA10SICP12-247	GeneSiC Semiconductor	IPM 1.2KV 10A TO-247-3	En stock	+− Ajouter au devis MOQ : 1 Survoler pour devis
	PDF	GA20SICP12-263	GeneSiC Semiconductor	IPM 1.2KV 20A TO-263-8	En stock	+− Ajouter au devis MOQ : 1 Survoler pour devis
	PDF	GA50SICP12-227	GeneSiC Semiconductor	IPM 1.2KV 50A SOT-227-4	En stock	+− Ajouter au devis MOQ : 1 Survoler pour devis

Les modules pilotes de puissance assurent l'encapsulation physique des composants de puissance, généralement des IGBT et des MOSFET, dans une configuration en demi-pont ou monophasée, biphasée ou triphasée. Les semi-conducteurs de puissance ou leurs puces (dies) sont soudés ou frittés sur un substrat qui supporte les semi-conducteurs de puissance et fournit les contacts électriques et thermiques ainsi que l'isolation électrique lorsque nécessaire. Les modules de puissance offrent une densité de puissance plus élevée et sont, dans de nombreux cas, plus fiables et plus faciles à refroidir.