MOSFET 4N-CH 10.6V 16PDIPRoHS / Conformidade

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ALD110808APCL

MOSFET 4N-CH 10.6V 16PDIP

Série
EPAD®
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Status da peça
Active
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Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteAdvanced Linear Devices Inc.
SérieEPAD®
EmbalagemTube
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaActive
Potência - Max500mW
FabricanteAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration4 N-Channel, Matched Pair
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote / Caso16-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id810mV @ 1µA
Número do produto baseALD110808
Temperatura de operação0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 4.8V
Pacote de dispositivo do fornecedor16-PDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12mA, 3mA
Embalagem
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MSL
-

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