Série
EPAD®
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
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Active
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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | FET, MOSFET Arrays |
| Fabricante | Advanced Linear Devices Inc. |
| Série | EPAD® |
| Embalagem | Tube |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Feature | - |
| Status da peça | Active |
| Potência - Max | 500mW |
| Fabricante | Advanced Linear Devices Inc. |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 220mV @ 1µA |
| Número do produto base | ALD110902 |
| Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 4.2V |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | 8-PDIP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
Embalagem
-
MSL
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