MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOICRoHS / Conformidade

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ALD210808SCL

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

Série
EPAD®, Zero Threshold™
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteAdvanced Linear Devices Inc.
SérieEPAD®, Zero Threshold™
EmbalagemTube
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Status da peçaActive
Potência - Max500mW
FabricanteAdvanced Linear Devices Inc.
Configuration4 N-Channel, Matched Pair
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / Caso16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id20mV @ 10µA
Número do produto baseALD210808
Temperatura de operação0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Pacote de dispositivo do fornecedor16-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80mA
Embalagem
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MSL
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