MOSFET 2N-CH 4DFNEm stockRoHS / Conformidade

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AOC2870

MOSFET 2N-CH 4DFN

Série
AlphaMOS
Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Status da peça
Not For New Designs
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SérieAlphaMOS
EmbalagemTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaNot For New Designs
Potência - Max1.4W
FabricanteAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / Caso4-XDFN
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Número do produto baseAOC287
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Pacote de dispositivo do fornecedor4-DFN (1.7x1.7)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Embalagem
-
MSL
-

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