MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOICEm stockRoHS / Conformidade

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AOSD21313C

MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Status da peça
Active
Potência - Max
1.7W
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Série-
EmbalagemTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaActive
Potência - Max1.7W
FabricanteAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Configuration2 P-Channel (Dual)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / Caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Número do produto baseAOSD213
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 5.7A, 10V
Pacote de dispositivo do fornecedor8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A (Ta)
Embalagem
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MSL
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