N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFEEm stockRoHS / Conformidade

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BSS123

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

FET Type
N-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio

Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaSingle FETs, MOSFETs
FabricanteANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Nota-
Série-
FET TypeN-Channel
EmbalagemTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)±20V
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaActive
Tipo de montagemSurface Mount
Qualificação-
Pacote / CasoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Temperatura de operação150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max)350mW (Ta)
Pacote de dispositivo do fornecedorSOT-23
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Embalagem
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MSL
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