BY25FQ16ESSIG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
FLASH - NOR
Access Time
5 ns
Tamanho da memória
16Mbit
Ficha de dados (PDF)
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Cartão indicador de umidade e sílica incluídos

Selagem a vácuo

Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio

Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaMemory
FabricanteBYTe Semiconductor
Nota-
Série-
EmbalagemTape & Reel (TR)
TecnologiaFLASH - NOR
Access Time5 ns
Tamanho da memória16Mbit
Tipo de memóriaNon-Volatile
Status da peçaActive
Memory FormatFLASH
Tipo de montagemSurface Mount
Qualificação-
Pacote / Caso8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Clock Frequency133 MHz
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Tensão - Fornecimento2.7V ~ 3.6V
Memory Organization2M x 8
Temperatura de operação-40°C ~ 85°C (TA)
Pacote de dispositivo do fornecedor8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page250µs, 2.4ms
Embalagem
-
MSL
-

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