FET Type
N-Channel
Embalagem
Tape & Box (TB)
Status da peça
Active
Potência - Max
310 mW
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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
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Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | JFETs |
| Fabricante | Central Semiconductor Corp |
| Nota | - |
| Série | - |
| FET Type | N-Channel |
| Embalagem | Tape & Box (TB) |
| Status da peça | Active |
| Potência - Max | 310 mW |
| Fabricante | Central Semiconductor Corp |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Qualificação | - |
| Pacote / Caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | TO-92-3 |
| Current Drain (Id) - Max | 30 mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 6 V @ 10 nA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 8 mA @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 15V |
Embalagem
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MSL
-