MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFNEm stockRoHS / Conformidade

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DMN3035LWN-7

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Status da peça
Active
Potência - Max
770mW
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteDiodes Incorporated
Série-
EmbalagemTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaActive
Potência - Max770mW
FabricanteDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / Caso8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Número do produto baseDMN3035
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.8A, 10V
Pacote de dispositivo do fornecedorV-DFN3020-8 (Type N)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds399pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A
Embalagem
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MSL
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