MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363Em stockRoHS / Conformidade

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DMN3190LDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature
Logic Level Gate
Status da peça
Active
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Embalagem segura

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ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteDiodes Incorporated
Série-
EmbalagemTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET FeatureLogic Level Gate
Status da peçaActive
Potência - Max320mW
FabricanteDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / Caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Número do produto baseDMN3190
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 1.3A, 10V
Pacote de dispositivo do fornecedorSOT-363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
Embalagem
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MSL
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