MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8RoHS / Conformidade

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DMT3006LPB-13

MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8

Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Status da peça
Active
Fabricante
Diodes Incorporated
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ParâmetroValor
CategoriaFET, MOSFET Arrays
FabricanteDiodes Incorporated
Série-
EmbalagemTape & Reel (TR)
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
FET Feature-
Status da peçaActive
FabricanteDiodes Incorporated
Configuration2 N-Channel (Dual)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote / Caso8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Número do produto baseDMT3006
Temperatura de operação-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Pacote de dispositivo do fornecedorPowerDI5060-8 (Type S)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)
Embalagem
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MSL
-

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