GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINEEm stockRoHS / Conformidade

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EPC2007C

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

Série
eGaN®
FET Type
N-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)
+6V, -4V
Ficha de dados (PDF)
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Embalagem segura

Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque

ParâmetroValor
CategoriaSingle FETs, MOSFETs
FabricanteEPC
Nota-
SérieeGaN®
FET TypeN-Channel
EmbalagemTape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Vgs (Max)+6V, -4V
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
FET Feature-
Status da peçaNot For New Designs
Tipo de montagemSurface Mount
Qualificação-
Pacote / CasoDie
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1.2mA
Número do produto baseEPC20
Temperatura de operação-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max)-
Pacote de dispositivo do fornecedorDie
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Embalagem
-
MSL
-

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