Série
eGaN®
FET Type
N-Channel
Embalagem
Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel®
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
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Bolsa barreira de umidade, preenchida com nitrogênio
Embalagem segura
Espuma antivibração, etiquetagem à prova de choque
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Categoria | Single FETs, MOSFETs |
| Fabricante | EPC |
| Nota | - |
| Série | eGaN® |
| FET Type | N-Channel |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) || Cut Tape (CT) || Digi-Reel® |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Feature | - |
| Status da peça | Not For New Designs |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Qualificação | - |
| Pacote / Caso | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 20mA |
| Número do produto base | EPC20 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 40A, 5V |
| Pacote de dispositivo do fornecedor | Die |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 15 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
Embalagem
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MSL
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